محاسبه ضریب عبور تشدید تونل زنی از چند لایه های gaalas/gaas

نویسندگان

لیلا مقدسی

l. moghaddasi physics department, azzahra universityگروه فیزیک دانشگاه الزهرا (س) عبدا... مرتضی علی

a. morteza ali physics department, azzahra universityگروه فیزیک دانشگاه الزهرا (س) رضا ثابت داریانی

r. sabet-dariani physics department, azzahra universityگروه فیزیک دانشگاه الزهرا (س)

چکیده

در این مقاله نظریه تشدید تونلی در چند لایه های al(x)ga(1-x)as/gaas, بررسی شده است. طیف انرژیهای تشدید و وابستگی آن به ساختمان سد از روی منحنیهای عبور سد, برحسب انرژی و مشخصه جریان - ولتاژ در دمای مشخص و سطوح فرمی معین, آنالیز شده است. فرمالیزم حاضر براساس تقریب جرم موثر است و نتایج براساس محاسبات عددی مستقیم به دست آمده است. تا به حال توسط دیگران این محاسبات برای حالت 3 سد انجام شده است و در این مقاله برای 4 سد و 5 سد پتانسیل, منحنی ضریب عببور را بر حسب انرژی در ولتاژهای بایاس مختلف و دماهای متفاوت و همچنین در انرژیهای پایین بررسی کرده ایم.

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

محاسبه ضریب عبور تشدید تونل زنی از چند لایه های ‏‎gahlas/gaas‎‏

بررسی تئوری تشدید تولی در چند لایه های ‏‎ga1-x a1x as/gaas‎‏ را در این مجموعه حاضر کرده ایم. طیف انرژیهای تشدید و وابستگی آن به ساختمان سد از روی منحنیهای عبور سد برحسب انرژی و مشخصه جریان - ولتاژ در دمای مشخص و سطوح فرمی معین، آنالیز شده است. فرمالیزم حاضر براساس تقریب جرم موثر است. و نتایج براساس محاسبات رقومی مستقیم است.

15 صفحه اول

محاسبه ضریب عبور تشدید تونل‌زنی از چند لایه‌های GaAlAs/GaAs

  A theoretical study of resonant tunneling in multilayered GaAlAs/GaAs structures are presented. The spectrum of resonant energies and its dependence on the barrier structure are analyzed from calculated profiles of barrier transparency versus energy, and from current voltage characteristics computed at selected temperatures and Fermi levels. The present formalism is based on the effective mas...

متن کامل

شبیه سازی ضریب عبور و ضریب بازتاب از لایه های نازک غیرخطی

لایه های نازک به طور گسترده ای در اپتیک، فوتونیک و تکنولوژی لیزر مورد استفاده قرار گرفته اند و کاربردهای فراوانی در ابزارهای اپتیکی مانند پوشش های ضدبازتاب، آینه های دی الکتریک، فیلترهای تداخلی، سلول های خورشیدی، موجبرها و ... دارند. با کشف خواص اپتیک غیرخطی و مشاهده آن در بسیاری از مواد آلی وغیرآلی، این شاخه از فیزیک وارد حیطه لایه‎‎ های نازک شد. امروزه مواد اپتیکی غیرخطی نقش مهمی در تکنولوژی...

15 صفحه اول

محاسبه ضریب عبور و چگالی جریان از چاه کوانتومی مثلثی دوگانه متقارن

دراین مقاله مشخصه های تشدید تونل زنی (ضریب عبور، چگالی جریان و مقاومت دیفرانسیل منفی) از چاه های کوانتومی دوگانۀ مثلثی alx ga1-x as / ga as بررسی شده است. برای حل معادلۀ مستقل از زمان شرودینگر در ساختارهای چاه مثلثی از تابع ایری1 استفاده شده است. به طور اساسی، عبارت های دقیق ضرایب بازتاب وعبور قبل و بعد از اعمال میدان الکتریکی خارجی برای دو چاه کوانتومی مثلثی متقارن براساس تقریب جرم مؤثر به عنو...

متن کامل

محاسبه جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت های نانومتری

جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت ها یکی از مهمترین عوامل در تحلیل و اندازه گیری پارامترهای این قطعات است. در رساله حاضر، ابتدا اثر جریان گیت در ترانزیستورهای ساخته شده در فناوری روز نیمه هادی بررسی شد و لزوم محاسبه آن ذکر شد. سپس با استفاده از مدلی جدید به محاسبه ی عرض چاه پتانسیل ایجاد شده در ناحیه ی وارونگی و همچنین تابع موج الکترون ها در واسط بین اکسید و نیمه هادی پرداخته شد. در نهایت به کم...

15 صفحه اول

محاسبه ضریب جذب تشعشعی محفظه های کروی

در این مقاله به بررسی انتقال حرارت تشعشعی در یک محفظه کروی و اثر شعاع منفذ ورودی به شعاع عظیمه کره در مقادیر ضریب جذب با بهره گیری از روش مونت کارلو با استفاده از یک برنامه کامپیوتری پرداخته شده است . برای این منظور با بررسی تأثیر زاویه تابش اشعه ورودی و تأثیر ضریب جذب تشعشعی سطح و تأثیر نسبت آئینه ای بودن سطح بر روی ضریب جذب کروی در زوایای مختلف بازشدگی دهانه و تأثیر کیفیت بازتابش از روی سطح د...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید


عنوان ژورنال:
پژوهش فیزیک ایران

جلد ۴، شماره ۱، صفحات ۹۱-۹۸

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023